将硅片置于煮沸的清洗液(H2SO4∶H2O2=10∶1)中浸泡10min。取出硅片，放入去离子水清洗腔中喷淋甩干。将LC100A正胶旋涂在清洗后的硅片上，旋涂厚度为3μm。涂完后前烘，利用曝光显影工艺，将掩膜版上的图案转移到光刻胶上，暴露出硅片上被刻蚀的部分。利用深反应离子刻蚀(DＲIE)在硅片上刻蚀出一系列微井阵列，微井大小为130μm×30μm，微井间距随着行数减小，变化范围为50～6μm，微井阵列为0．8μm×0．8cm，刻蚀深度为30μm，用等离子去胶工艺去除残胶。对制作好硅片模具硅烷化，然后取聚二甲基硅氧烷(PDMS)预聚体:固化剂为10∶1配制PDMS。将配制好的PDMS浇筑在硅片模具上，永磁约束-数控滚圆机电动液压滚弧机滚圆机价格低张家港滚圆机多少钱静置1～2h，90℃加热1h。待PDMS完全固化后剥离，微井阵列转化为微柱阵列，然后用蓝膜包覆，手动切割打孔。最后将载玻片与芯片通过等离子体键合本文由张家港市泰宇机械有限公司弯管机滚圆机滚弧机网站采集网络资源整理! http://www.gunyuanji.wang。至此芯片组装完成［7］。(DRIE)光刻硅片光刻胶图1硅片模具的制作流程1．3检测流程取1μLSA聚苯乙烯微球(约5000个)，用结合缓冲液稀释至在法拉第磁光效应基础上,设计了一种永磁约束磁腔,通过将法拉第磁光元件置于约束磁腔中,研究了线偏振光穿过结构参数可变的约束磁腔后其旋转角的变化情况。实验发现,随着磁腔半径的增大和磁体块数的减小,线偏振光的旋转角呈逐渐降低趋势,随着磁体间距的增大,旋转角呈先增大后减小的趋势,同时磁体块数越多,旋转角减小的越缓慢。在6块磁体磁腔半径为4.3 mm磁体间距为16 mm时,旋转角最大达到85.1°;在2块磁体磁腔半径为9.5 mm,磁体间距为14 mm时,旋转角最小为9.8°。 束磁腔示意图将标有刻度的偏振片2置于激光功率计感光面前端，激光束穿过偏振片1产生线偏振光。首先，线偏振光不经过约束磁腔直接穿过偏振片2落于激光功率计感光面上，旋转偏振片2使激光功率计读数最大，记下此时偏振片2的位置刻度θ1;其次，线偏振光通过约束磁腔穿过偏振片2，由于线偏振光在磁场作用下旋转了一定角度，此时激光功率计的读数会变小，旋转偏振片2使激光功率计读数重新为最大值，记下此时偏振片2的刻度θ2，两刻度值之差即为线偏振光的旋转角。激光功率计偏振片2约束磁腔偏振片1激光器图2旋转角检测原理示意图2实验平台构建与磁场仿真分析2．1实验平台构建永磁约束磁腔的永磁体选用钕铁硼永磁体(Nd2Fe14B)，该永磁体具有极高的磁能积、矫顽磁力以及磁能密度［5～7］，其夹具材质为铝合金，相对磁导率μr近似为1，对磁场的分布几乎没有影响［8］。永磁约束磁腔的实物图如图3所示，在约束磁腔中，一个装载盘上永磁体N极极化端面指向中心，另一个装载盘上永磁体S极极化端面指向中心，从而使磁场方向沿着磁腔轴线。单个装载盘由绕磁腔中心轴均匀阵列的6个永磁体安装块组成，在保证磁腔质心沿着轴线的情况下，磁体可以2块、3块、4块及6块安装于装载盘上，从而达到研究不同磁体数目对线偏振光旋转角的影响。实验平台整体分为激光器、约束磁腔和检测模块三大部分，具体如图4所示。位置调节螺钉汝铁硼永磁体装载盘永磁体安装块图3永磁约束磁腔2．2永磁约束磁腔有限元分析利用ANSYS有限元分析软件，选取6块永磁体，磁腔激光器偏振片永磁约束-数控滚圆机电动液压滚弧机滚圆机价格低张家港滚圆机多少钱本文由张家港市泰宇机械有限公司弯管机滚圆机滚弧机网站采集网络资源整理! http://www.gunyuanji.wang